FET、MOSFET 阵列

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®LittleFET™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
最后售卖在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
50V60V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A2A2A(Ta)2.7A3A3.3A3.8A5.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 3.6A,10V58 毫欧 @ 4.3A,10V80 毫欧 @ 12A,10V125 毫欧 @ 2.3A,10V130 毫欧 @ 2A,10V130 毫欧 @ 3A,10V280 毫欧 @ 2A,10V350 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA(最小)2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2nC @ 10V4.8nC @ 4.5V12.3nC @ 10V17.7nC @ 10V20nC @ 10V20.4nC @ 10V30nC @ 10V32nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
70pF @ 50V290pF @ 25V340pF @ 25V520pF @ 15V588pF @ 30V637pF @ 30V665pF @ 15V1063pF @ 30V
功率 - 最大值
690mW1.2W1.5W1.8W1.81W2W2W(Ta)3.1W
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
8-SO8-SOICSOT-23-6LSuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SG6858TZ
FDC8602
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
onsemi
9,751
现货
6,000
工厂
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.09313
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
1.2A
350 毫欧 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
2nC @ 10V
70pF @ 50V
690mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT 23-6
SIL2324A-TP
MOSFET 2N-CH 100V 2A SOT23-6L
Micro Commercial Co
1,784
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.38202
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
2A
280 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 250µA
4.8nC @ 4.5V
520pF @ 15V
1.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6L
8 SO
DMN6070SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Diodes Incorporated
34,058
现货
312,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
3.3A
80 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
588pF @ 30V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7103TRPBF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Infineon Technologies
6,383
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.91608
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
50V
3A
130 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
30nC @ 10V
290pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
ZXMP6A17DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
Diodes Incorporated
1,123
现货
14,000
工厂
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
500 : ¥4.64708
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
60V
2.7A
125 毫欧 @ 2.3A,10V
1V @ 250µA(最小)
17.7nC @ 10V
637pF @ 30V
1.81W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Diodes Incorporated
2,731
现货
274,000
工厂
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
500 : ¥5.66670
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
3.8A
50 毫欧 @ 3.6A,10V
1V @ 250µA(最小)
20.4nC @ 10V
1063pF @ 30V
1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
INFINFICE2QR4765XKLA1
RF1K4915496
MOSFET 2N-CH 60V 2A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
4,231
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
2A(Ta)
130 毫欧 @ 2A,10V
4V @ 250µA
32nC @ 20V
340pF @ 25V
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
22,130
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05735
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
5.3A
58 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
20nC @ 10V
665pF @ 15V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
显示
/ 8

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。