FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N 沟道（双）非对称型2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-逻辑电平栅极，5V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
25V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A20A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.6 毫欧 @ 14A，8V14.3 毫欧 @ 4A，8V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.9V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6nC @ 4.5V6.2nC @ 4.5V13.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
662pF @ 15V920pF @ 12.5V1860pF @ 15V
功率 - 最大值
6W12W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）125°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-LSON（3.3x3.3）8-LSON（5x6）8-VSON（3.3x3.3）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8SON
CSD86330Q3D
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Texas Instruments
23,167
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.23462
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
逻辑电平门
25V
20A
9.6 毫欧 @ 14A，8V
2.1V @ 250µA
6.2nC @ 4.5V
920pF @ 12.5V
6W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerLDFN
8-LSON（3.3x3.3）
8-VSON
CSD87333Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Texas Instruments
4,752
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32536
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）非对称型
逻辑电平栅极，5V 驱动
30V
15A
14.3 毫欧 @ 4A，8V
1.2V @ 250µA
4.6nC @ 4.5V
662pF @ 15V
6W
125°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-VSON（3.3x3.3）
CSD87355Q5D
CSD87355Q5D
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
Texas Instruments
2,327
现货
1 : ¥15.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.90165
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）非对称型
-
30V
-
-
1.9V @ 250µA
13.7nC @ 4.5V
1860pF @ 15V
12W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerLDFN
8-LSON（5x6）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。