FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A,1.9A3.4A,2.8A3.4A(Ta),2.7A(Ta)3.9A4.5A(Ta),3.7A(Ta)6.6A,6.8A8.2A,6.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 12A,10V28 毫欧 @ 6A,10V45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V,95 毫欧 @ 2.7A,10V70 毫欧 @ 5.3A,10V90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA,2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5nC @ 4.5V6.6nC @ 10V,6.8nC @ 10V10.5nC @ 10V11nC @ 10V12.5nC @ 10V,11.1nC @ 10V13nC @ 10V25.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
278pF @ 15V,287pF @ 15V295pF @ 15V400pF @ 15V472pF @ 15V563pF @ 25V574pF @ 20V,587pF @ 20V1415pF @ 15V
功率 - 最大值
840mW880mW900mW1.1W1.2W1.5W(Ta)1.8W
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP8-SOTSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241,855
现货
412,500
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
6-TSOP
NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
onsemi
915,774
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.48488
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.6A,1.9A
90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
295pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
8 SO
DMHC4035LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Diodes Incorporated
38,923
现货
372,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88275
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
-
40V
4.5A(Ta),3.7A(Ta)
45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
12.5nC @ 10V,11.1nC @ 10V
574pF @ 20V,587pF @ 20V
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
128,443
现货
3,519,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48619
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMC3061SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
3,663
现货
525,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16414
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
3.4A(Ta),2.7A(Ta)
60 毫欧 @ 3.1A,10V,95 毫欧 @ 2.7A,10V
1.8V @ 250µA,2.2V @ 250µA
6.6nC @ 10V,6.8nC @ 10V
278pF @ 15V,287pF @ 15V
880mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
8 SO
DMC3016LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Diodes Incorporated
11,096
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.2A,6.2A
16 毫欧 @ 12A,10V
2.3V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
DMC3028LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Diodes Incorporated
447
现货
67,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.6A,6.8A
28 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
472pF @ 15V
1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。