FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA450mA，310mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V4 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.5pF @ 3V27.6pF @ 15V
功率 - 最大值
150mW350mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
SOT-563，SOT-666SOT-963
供应商器件封装
ES6SOT-963
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DMN2990UDJQ-7
DMC2990UDJ-7
MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Diodes Incorporated
166,363
现货
2,190,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.72759
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
450mA，310mA
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
27.6pF @ 15V
350mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
89,763
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.58374
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
100mA
4 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
8.5pF @ 3V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。