FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
295mA30A（Tc），18A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 10A，10V，52.6 毫欧 @ 10A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9nC @ 4.5V30nC @ 10V，45nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26pF @ 20V1650pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW34W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双SC-88/SC70-6/SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
9,658
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.84752
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
60V
30A（Tc），18A（Tc）
12 毫欧 @ 10A，10V，52.6 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
30nC @ 10V，45nC @ 10V
1650pF @ 25V
34W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
SOT-363
NTJD5121NT2G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
8,124
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66790
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。