FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA1.07A,845mA4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
55 毫欧 @ 5A,10V450 毫欧 @ 600mA,4.5V1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 4.5V0.74nC @ 4.5V24nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
46pF @ 25V60.67pF @ 10V1293pF @ 30V
功率 - 最大值
310mW330mW1.2W
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOSOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
61,337
现货
633,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65383
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
DMN53D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Diodes Incorporated
39,864
现货
945,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47169
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
50V
360mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
1.5V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
46pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
8 SO
DMP6050SSD-13
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO
Diodes Incorporated
35,727
现货
305,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.52794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
60V
4.8A
55 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1293pF @ 30V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。