FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
漏源电压（Vdss）
40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
295mA8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 8A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9nC @ 4.5V63nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26pF @ 20V2000pF @ 20V
功率 - 最大值
250mW3.2W
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOICSC-88/SC70-6/SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
SI4909DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
19,711
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.39554
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
40V
8A
27 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
63nC @ 10V
2000pF @ 20V
3.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
124,131
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49294
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。