FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60V80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9，4A（Ta），31A（Tc）11A（Ta），42A（Tc）12A（Ta），49A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.9 毫欧 @ 10A，10V14.4 毫欧 @ 10A，10V15 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 21µA2.2V @ 25µA2.2V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.7nC @ 4.5V5.7nC @ 4.5V17nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
640pF @ 25V793pF @ 25V900pF @ 40V
功率 - 最大值
3W（Ta），37W（Tc）3.1W（Ta），45W（Tc）3，2W（Ta），34W（Tc）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 Power TDFN
NTMFD6H846NLT1G
MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
onsemi
2,059
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.47299
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
80V
9，4A（Ta），31A（Tc）
15 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 21µA
17nC @ 10V
900pF @ 40V
3，2W（Ta），34W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
8 Power TDFN
NVMFD5C674NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
onsemi
2,854
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.52243
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
11A（Ta），42A（Tc）
14.4 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 25µA
4.7nC @ 4.5V
640pF @ 25V
3W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
8 Power TDFN
NVMFD6H846NLT1G
MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
onsemi
2,719
现货
7,500
工厂
1 : ¥16.09000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.65011
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
80V
9，4A（Ta），31A（Tc）
15 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 21µA
17nC @ 10V
900pF @ 40V
3，2W（Ta），34W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
8 Power TDFN
NVMFD5C672NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
onsemi
1,365
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.79243
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
12A（Ta），49A（Tc）
11.9 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 30µA
5.7nC @ 4.5V
793pF @ 25V
3.1W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。