FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA4.6A（Ta），3.3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 3.5A，10V，95 毫欧 @ 3.8A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5nC @ 10V，6.5nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 25V190pF @ 15V，254pF @ 15V
功率 - 最大值
200mW700mW（Ta）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
SC-88（SC-70-6）TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
76,179
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88（SC-70-6）
TSOT-26
DMC3071LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Diodes Incorporated
22,057
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82347
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
30V
4.6A（Ta），3.3A（Ta）
50 毫欧 @ 3.5A，10V，95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
4.5nC @ 10V，6.5nC @ 10V
190pF @ 15V，254pF @ 15V
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSOT-26
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。