FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip Technology
系列
-CoolMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双路降压斩波器)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V100V600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A,2.3A4.5A(Ta),3.7A(Ta)5.4A6A,4.2A95A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18.5 毫欧 @ 7A,10V24 毫欧 @ 47.5A,10V25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V160 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA3.9V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.8nC @ 4.5V9.7nC @ 10V11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V12.5nC @ 10V,11.1nC @ 10V300nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
143pF @ 10V574pF @ 20V,587pF @ 20V590pF @ 15V, 631pF @ 15V1167pF @ 25V14400pF @ 25V
功率 - 最大值
780mW1.5W(Ta)2.1W462W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)12-VDFN 裸露焊盘SP3
供应商器件封装
8-SO8-TSSOPSP3V-DFN5045-12
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMHC3025LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
70,250
现货
952,500
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.64842
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
逻辑电平门
30V
6A,4.2A
25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
590pF @ 15V, 631pF @ 15V
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
DMHC4035LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Diodes Incorporated
39,023
现货
380,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88286
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
-
40V
4.5A(Ta),3.7A(Ta)
45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
12.5nC @ 10V,11.1nC @ 10V
574pF @ 20V,587pF @ 20V
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-TSSOP
DMN2019UTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Diodes Incorporated
14,824
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.07161
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)共漏
逻辑电平门
20V
5.4A
18.5 毫欧 @ 7A,10V
950mV @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
143pF @ 10V
780mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
8 SO
DMHC3025LSDQ-13
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
2,239
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88286
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
逻辑电平门
30V
6A,4.2A
25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
590pF @ 15V, 631pF @ 15V
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
V-DFN5045-12
DMHC10H170SFJ-13
MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Diodes Incorporated
7,592
现货
453,000
工厂
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.09417
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
-
100V
2.9A,2.3A
160 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
2.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
12-VDFN 裸露焊盘
V-DFN5045-12
CoolMOS SERIES SP3
APTC60DSKM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
7
现货
1 : ¥1,118.09000
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双路降压斩波器)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SP3
SP3
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/ 6

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。