FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
制造商
Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动逻辑电平栅极，1.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA300mA800mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
235 毫欧 @ 800mA，4.5V1 欧姆 @ 300mA，4V1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25pF @ 10V55pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW150mW
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
EMT6ES6UMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
749,926
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46952
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
UMT6
78,256
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.65387
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.5V 驱动
20V
800mA
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 4.5V
55pF @ 10V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Rohm Semiconductor
8,121
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.01990
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
300mA
1 欧姆 @ 300mA，4V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
EMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K7T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
14,116
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.10697
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
200mA
1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
EMT6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。