FET、MOSFET 阵列
结果 : 2
制造商
系列
包装
产品状态
技术
配置
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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0 现货 查看交期 | 2 : ¥4,109.74500 管件 | - | 管件 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 个 N 通道 | - | 1200V(1.2kV) | 173A(Tc) | 16 毫欧 @ 80A,20V | 2.8V @ 2mA | 464nC @ 20V | 6040pF @ 1000V | 745W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | SP3F | ||
0 现货 | 停产 | 盒 | 停产 | MOSFET(金属氧化物) | 4 N 沟道(全桥) | - | 100V | 75A | 25 毫欧 @ 500mA,10V | 4V @ 4mA | 260nC @ 10V | 4500pF @ 25V | 300W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
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