FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
IXYSMicrochip Technology
系列
-HiPerFET™
包装
管件
产品状态
停产在售
技术
MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
4 N 沟道(全桥)4 个 N 通道
漏源电压(Vdss)
100V1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A173A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 80A,20V25 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 2mA4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
260nC @ 10V464nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4500pF @ 25V6040pF @ 1000V
功率 - 最大值
300W745W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装通孔
封装/外壳
ECO-PAC2模块
供应商器件封装
ECO-PAC2SP3F
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
MSCSM120HM16CT3AG-(primary)
MSCSM120HM16CT3AG
SIC 4N-CH 1200V 173A SP3F
Microchip Technology
0
现货
查看交期
2 : ¥4,109.74500
管件
-
管件
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道
-
1200V(1.2kV)
173A(Tc)
16 毫欧 @ 80A,20V
2.8V @ 2mA
464nC @ 20V
6040pF @ 1000V
745W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP3F
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
VKM60-01P1
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
IXYS
0
现货
停产
停产
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
100V
75A
25 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 4mA
260nC @ 10V
4500pF @ 25V
300W
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
ECO-PAC2
ECO-PAC2
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。