FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N 沟道（双）非对称型2 N-通道（双）2 个 N 沟道2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-逻辑电平栅极，4.5V 驱动逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA17A，32A17.5A（Ta），32A（Tc），24A（Ta），32A（Tc）18.5A（Ta），49A（Tc），27A（Ta），85A（Tc）18.5A（Ta），49A（Tc），30A（Ta），85A（Tc）20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V5.3 毫欧 @ 20A，10V，2 毫欧 @ 20A，10V5.3 毫欧 @ 20A，10V，2.6 毫欧 @ 20A，10V6.1 毫欧 @ 20A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3nC @ 5V5.8nC @ 4.5V10nC @ 4.5V20nC @ 10V20nC @ 10V，40nC @ 10V20nC @ 10V，52nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
33pF @ 5V820pF @ 15V，1890pF @ 15V820pF @ 15V，2555pF @ 15V900pF @ 15V920pF @ 15V1160pF @ 15V
功率 - 最大值
272mW1W2.9W（Ta），22W（Tc），3.4W（Ta），33W（Tc）3.1W（Ta），21W（Tc），3.1W（Ta），31.5W（Tc）3.1W（Ta），21W（Tc），3.1W（Ta），45W（Tc）6W
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerLDFN8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-LSON（3.3x3.3）PG-TISON-8SC-88/SC70-6/SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
113,835
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79159
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
250mA
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
8-DFN
AONY36352
MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,588
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.07464
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）非对称型
-
30V
18.5A（Ta），49A（Tc），30A（Ta），85A（Tc）
5.3 毫欧 @ 20A，10V，2 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA
20nC @ 10V，52nC @ 10V
820pF @ 15V，2555pF @ 15V
3.1W（Ta），21W（Tc），3.1W（Ta），45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerSMD，扁平引线
8-DFN（5x6）
8-DFN
AONY36354
MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
4,040
现货
1 : ¥8.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.48607
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）非对称型
-
30V
18.5A（Ta），49A（Tc），27A（Ta），85A（Tc）
5.3 毫欧 @ 20A，10V，2.6 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA
20nC @ 10V，40nC @ 10V
820pF @ 15V，1890pF @ 15V
3.1W（Ta），21W（Tc），3.1W（Ta），31.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerSMD，扁平引线
8-DFN（5x6）
8SON
CSD87330Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Texas Instruments
28,639
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.28508
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
逻辑电平门
30V
20A
-
2.1V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
900pF @ 15V
6W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerLDFN
8-LSON（3.3x3.3）
PG-TISON-8
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Infineon Technologies
77,044
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.55895
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）非对称型
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
30V
17A，32A
5 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
1160pF @ 15V
1W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
PG-TISON-8
BSC0923NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Infineon Technologies
4,535
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.21163
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）非对称型
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
30V
17A，32A
5 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
1160pF @ 15V
1W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
AONY36356
AONY36356
MOSFET 2N-CH 30V 17.5A/32A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,831
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.66833
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 沟道
-
30V
17.5A（Ta），32A（Tc），24A（Ta），32A（Tc）
6.1 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 250µA
20nC @ 10V
920pF @ 15V
2.9W（Ta），22W（Tc），3.4W（Ta），33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerVDFN
8-DFN（5x6）
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。