FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.8 毫欧 @ 18.5A,10V11.6 毫欧 @ 17A,10V19 毫欧 @ 10A,10V26 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 10µA2.2V @ 15µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 10V20nC @ 10V26nC @ 10V65nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
565pF @ 20V1430pF @ 25V1990pF @ 25V2300pF @ 20V
功率 - 最大值
15.6W33W41W46W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4PowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
16,794
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.59698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
20A
26 毫欧 @ 17A,10V
2.2V @ 10µA
20nC @ 10V
1430pF @ 25V
33W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
IPG20N04S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
39,219
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.94515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
20A
11.6 毫欧 @ 17A,10V
2.2V @ 15µA
26nC @ 10V
1990pF @ 25V
41W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-4
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Vishay Siliconix
107,377
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.97994
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
20A
19 毫欧 @ 10A,10V
2.8V @ 250µA
15nC @ 10V
565pF @ 20V
15.6W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7938DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
10,410
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.51392
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
60A
5.8 毫欧 @ 18.5A,10V
2.5V @ 250µA
65nC @ 10V
2300pF @ 20V
46W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。