FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
40V60V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A6.5A9.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 10A,10V41 毫欧 @ 5.3A,10V49 毫欧 @ 5.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 10V24nC @ 10V25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
580pF @ 20V840pF @ 30V-
功率 - 最大值
1.4W3.1W3.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
SI4288DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Vishay Siliconix
12,236
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.52738
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
9.2A
20 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
15nC @ 10V
580pF @ 20V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7942DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,657
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.20036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
100V
3.8A
49 毫欧 @ 5.9A,10V
4V @ 250µA
24nC @ 10V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
8-SOIC
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Vishay Siliconix
12,307
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.73958
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
6.5A
41 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
840pF @ 30V
3.7W
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。