FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N 沟道（双）共源2 N-通道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
12V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 20A，4.5V100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9nC @ 4.5V120nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
175pF @ 10V5000pF @ 6V
功率 - 最大值
1.25W46W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双TSMT5
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7234DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
14,454
现货
1 : ¥23.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.33834
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
12V
60A
3.4 毫欧 @ 20A，4.5V
1.5V @ 250µA
120nC @ 10V
5000pF @ 6V
46W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
TSMT5 Pkg
QS5K2TR
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Rohm Semiconductor
152,453
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）共源
逻辑电平门
30V
2A
100 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 1mA
3.9nC @ 4.5V
175pF @ 10V
1.25W
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
TSMT5
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。