FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA(Ta)300mA3A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
133 毫欧 @ 1.5A,10V2.4 欧姆 @ 250mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 10V12.2nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15pF @ 25V20pF @ 25V570pF @ 15V
功率 - 最大值
150mW500mW1.67W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-363SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOPPG-SOT363-POUMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
88,400
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60649
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
Pkg 5540
SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,623
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.87164
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
3A(Tc)
133 毫欧 @ 1.5A,10V
2.5V @ 250µA
12.2nC @ 10V
570pF @ 15V
1.67W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
UMT6
UM6K31NFHATCN
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Rohm Semiconductor
2,430
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86085
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
250mA(Ta)
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
2.3V @ 1mA
-
15pF @ 25V
150mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。