FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.03A,700mA2.3A,2A3.4A,2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
57 毫欧 @ 2.3A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA2V @ 11µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5nC @ 4.5V1.5nC @ 10V13nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
37.1pF @ 10V275pF @ 15V400pF @ 15V
功率 - 最大值
450mW500mW840mW
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
PG-TSOP6-6SOT-563TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
93,861
现货
243,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
153,454
现货
2,382,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57291
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.03A,700mA
480 毫欧 @ 200mA,5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SC-74, SOT-457
BSL308CH6327XTSA1
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Infineon Technologies
18,267
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.93664
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
2.3A,2A
57 毫欧 @ 2.3A,10V
2V @ 11µA
1.5nC @ 10V
275pF @ 15V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PG-TSOP6-6
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。