FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）6.5A（Ta）7A（Tc）7.1A，22.6A7.6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.5 毫欧 @ 10A，10V27 毫欧 @ 5A，10V32 毫欧 @ 6.5A，10V40 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.6nC @ 10V17nC @ 10V22nC @ 10V22.4nC @ 10V32nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460pF @ 30V864pF @ 30V865pF @ 25V1287pF @ 25V2127pF @ 25V
功率 - 最大值
1.3W1.4W，1.9W1.5W2W（Ta）4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMN6040SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Diodes Incorporated
11,400
现货
1,295,000
工厂
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.71365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
5A（Ta）
40 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
1.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
8-SOIC
SH8KC6TB1
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
18,930
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.20310
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
6.5A（Ta）
32 毫欧 @ 6.5A，10V
2.5V @ 1mA
7.6nC @ 10V
460pF @ 30V
2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
8-SOIC
SQ4946CEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Vishay Siliconix
9,751
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27670
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
7A（Tc）
40 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
22nC @ 10V
865pF @ 25V
4W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
8 SO
DMNH6022SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Diodes Incorporated
4,775
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.76752
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
7.1A，22.6A
27 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
2127pF @ 25V
1.5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
8 SO
DMTH6016LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Diodes Incorporated
68
现货
227,500
工厂
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.74824
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
7.6A（Ta）
19.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
1.4W，1.9W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。