FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
配置
2 N 沟道（双）共源2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）
40V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A41A（Ta）， 159A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.37 毫欧 @ 15A， 10V10.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30nC @ 10V106nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2060pF @ 50V5750pF @ 20V
功率 - 最大值
2.2W4.2W（Ta）， 62.5W（Tc）
封装/外壳
8-PowerDFN8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-Power 5x6PowerPAIR® 6x5FS
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-Power 5x6
FDMD86100
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
onsemi
1,072
现货
1 : ¥35.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥17.40008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）共源
-
100V
10A
10.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
30nC @ 10V
2060pF @ 50V
2.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerWDFN
8-Power 5x6
PowerPAIR-6x5FS
SIZF640DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 41A PWRPAIR
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.77999
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
40V
41A（Ta）， 159A（Tc）
1.37 毫欧 @ 15A， 10V
2.4V @ 250µA
106nC @ 10V
5750pF @ 20V
4.2W（Ta）， 62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerDFN
PowerPAIR® 6x5FS
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。