FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
漏源电压（Vdss）
40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.5A（Ta）60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 18.5A，10V32 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50nC @ 10V65nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2300pF @ 20V2630pF @ 30V
功率 - 最大值
1.4W（Ta）46W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
8-SOPPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7938DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
10,413
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.51412
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
40V
60A
5.8 毫欧 @ 18.5A，10V
2.5V @ 250µA
65nC @ 10V
2300pF @ 20V
46W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
8-SOIC
SH8JC5TB1
MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
5,385
现货
1 : ¥18.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.32632
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
60V
7.5A（Ta）
32 毫欧 @ 7.5A，10V
2.5V @ 1mA
50nC @ 10V
2630pF @ 30V
1.4W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。