FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
-MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）
30V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A3.4A，2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
57 毫欧 @ 2A，10V111 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8nC @ 10V11.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
210pF @ 15V360pF @ 50V
功率 - 最大值
1.4W2.4W，3.4W
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5540
SI3993CDV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
47,327
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
2.9A
111 毫欧 @ 2.5A，10V
2.2V @ 250µA
8nC @ 10V
210pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-TSOP
8-SOIC
SI4590DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Vishay Siliconix
3,582
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
N 和 P 沟道
-
100V
3.4A，2.8A
57 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
11.5nC @ 10V
360pF @ 50V
2.4W，3.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。