FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA3.3A4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
36 毫欧 @ 6A,4.5V80 毫欧 @ 12A,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.3nC @ 5V12.3nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50pF @ 25V588pF @ 30V632pF @ 10V
功率 - 最大值
310mW1.2W3.1W
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO1206-8 ChipFET™SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
148,087
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
8 SO
DMN6070SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Diodes Incorporated
34,168
现货
332,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49527
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
3.3A
80 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
588pF @ 30V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
Pkg 5547
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Vishay Siliconix
13,217
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.48136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
4A
36 毫欧 @ 6A,4.5V
800mV @ 250µA
11.3nC @ 5V
632pF @ 10V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SMD,扁平引线
1206-8 ChipFET™
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。