FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
系列
STripFET™ F7STripFET™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 12A，10V18 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5nC @ 4.5V27.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
475pF @ 25V1594pF @ 25V
功率 - 最大值
60W94W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 Power VDFN
STL40DN3LLH5
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,636
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.83469
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
40A
18 毫欧 @ 5.5A，10V
1.5V @ 250µA
4.5nC @ 4.5V
475pF @ 25V
60W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PowerVDFN
PowerFlat™（5x6）
MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
STL105DN4LF7AG
MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
3,000 : ¥8.88323
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
40V
40A（Tc）
4.5 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
27.5nC @ 10V
1594pF @ 25V
94W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerVDFN
PowerFlat™（5x6）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。