FET、MOSFET 阵列
结果 : 6
制造商
系列
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
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市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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5,946 现货 330,000 工厂 | 1 : ¥6.32000 剪切带(CT) 2,500 : ¥2.40764 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 20V | 7.8A,6.3A | 20 毫欧 @ 7A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 11.6nC @ 4.5V | 1149pF @ 10V | 1.8W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SO | ||
19,711 现货 | 1 : ¥8.21000 剪切带(CT) 2,500 : ¥3.39554 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | 逻辑电平门 | 40V | 8A | 27 毫欧 @ 8A,10V | 2.5V @ 250µA | 63nC @ 10V | 2000pF @ 20V | 3.2W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | |||
7,854 现货 | 1 : ¥6.98000 剪切带(CT) 3,000 : ¥2.66449 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 40V | 34A(Tc) | 11.71 毫欧 @ 5A,10V | 2.2V @ 250µA | 11nC @ 4.5V | 1100pF @ 20V | 23W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PowerPAK® 1212-8 双 | PowerPAK® 1212-8 双 | |||
6,351 现货 12,000 工厂 | 1 : ¥7.80000 剪切带(CT) 500 : ¥4.21048 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 30V | 4.1A,3.4A | 50 毫欧 @ 7.8A,10V | 1V @ 250µA(最小) | 12.2nC @ 10V | 600pF @ 25V | 1.25W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SO | ||
3,514 现货 | 1 : ¥12.97000 剪切带(CT) 2,500 : ¥5.84495 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 N 通道(半桥) | 逻辑电平门 | 30V | 5.8A,8.2A | 18.5 毫欧 @ 6.8A,10V | 3V @ 250µA | 10nC @ 5V | - | 1W,1.25W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | |||
22,130 现货 | 1 : ¥11.49000 剪切带(CT) 2,500 : ¥3.05746 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 最后售卖 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 60V | 5.3A | 58 毫欧 @ 4.3A,10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | 665pF @ 15V | 3.1W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC |
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