FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-LITTLE FOOT®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
配置
2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A,3.4A5.3A5.8A,8.2A7.8A,6.3A8A34A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11.71 毫欧 @ 5A,10V18.5 毫欧 @ 6.8A,10V20 毫欧 @ 7A,4.5V27 毫欧 @ 8A,10V50 毫欧 @ 7.8A,10V58 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA(最小)1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10nC @ 5V11nC @ 4.5V11.6nC @ 4.5V12.2nC @ 10V20nC @ 10V63nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
600pF @ 25V665pF @ 15V1100pF @ 20V1149pF @ 10V2000pF @ 20V-
功率 - 最大值
1W,1.25W1.25W1.8W3.1W3.2W23W
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装
8-SO8-SOICPowerPAK® 1212-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMC2020USD-13
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
Diodes Incorporated
5,946
现货
330,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.40764
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
7.8A,6.3A
20 毫欧 @ 7A,4.5V
1.5V @ 250µA
11.6nC @ 4.5V
1149pF @ 10V
1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
SI4909DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
19,711
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.39554
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
40V
8A
27 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
63nC @ 10V
2000pF @ 20V
3.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
PowerPAK® 1212-8 Dual
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Vishay Siliconix
7,854
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.66449
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
34A(Tc)
11.71 毫欧 @ 5A,10V
2.2V @ 250µA
11nC @ 4.5V
1100pF @ 20V
23W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
8 SO
ZXMC3A17DN8TA
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Diodes Incorporated
6,351
现货
12,000
工厂
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
500 : ¥4.21048
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
4.1A,3.4A
50 毫欧 @ 7.8A,10V
1V @ 250µA(最小)
12.2nC @ 10V
600pF @ 25V
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
SI4816BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Vishay Siliconix
3,514
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.84495
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
逻辑电平门
30V
5.8A,8.2A
18.5 毫欧 @ 6.8A,10V
3V @ 250µA
10nC @ 5V
-
1W,1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
22,130
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05746
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
5.3A
58 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
20nC @ 10V
665pF @ 15V
3.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。