FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
12V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 20A，4.5V27 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63nC @ 10V120nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000pF @ 20V5000pF @ 6V
功率 - 最大值
3.2W46W
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
SI4909DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
19,711
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.39554
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
40V
8A
27 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
63nC @ 10V
2000pF @ 20V
3.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7234DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
14,454
现货
1 : ¥23.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.33834
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
12V
60A
3.4 毫欧 @ 20A，4.5V
1.5V @ 250µA
120nC @ 10V
5000pF @ 6V
46W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。