FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta），130mA（Ta）5.1A，3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 5.1A，4.5V13.5 欧姆 @ 500mA，10V，10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 110µA2.5V @ 250µA，2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 25V，45pF @ 25V419pF @ 10V
功率 - 最大值
200mW（Ta）2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLSOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TSDSON-8
BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Infineon Technologies
16,602
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.09081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
20V
5.1A，3.2A
55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
1.4V @ 110µA
2.8nC @ 4.5V
419pF @ 10V
2.5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8-FL
SOT 363
BSS8402DWQ-13
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Diodes Incorporated
9,380
现货
40,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.95364
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
60V，50V
115mA（Ta），130mA（Ta）
13.5 欧姆 @ 500mA，10V，10 欧姆 @ 100mA，5V
2.5V @ 250µA，2V @ 1mA
-
50pF @ 25V，45pF @ 25V
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。