FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
配置
2 N 沟道（双）共源N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A9A，6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 9A，10V100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9nC @ 4.5V20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
175pF @ 10V1000pF @ 20V
功率 - 最大值
1.25W1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
SOT-23-5 细型，TSOT-23-5TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
供应商器件封装
TO-252（DPAK）TSMT5
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TSMT5 Pkg
QS5K2TR
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Rohm Semiconductor
152,128
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）共源
逻辑电平门
30V
2A
100 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 1mA
3.9nC @ 4.5V
175pF @ 10V
1.25W
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
TSMT5
TO-252-5
FDD8424H
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
onsemi
0
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
9A，6.5A
24 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
20nC @ 10V
1000pF @ 20V
1.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
TO-252（DPAK）
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。