FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.8A28.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 7A，10V26 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.4nC @ 10V12.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
608pF @ 15V631pF @ 40V
功率 - 最大值
1.8W3.1W（Ta），41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOPowerDI5060-8（UXD 类）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMN3024LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Diodes Incorporated
69,865
现货
177,500
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.74448
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
6.8A
24 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
1.8W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
DMTH45M5LPDW-13
DMTH8030LPDW-13
MOSFET 2N-CH 80V 28.5A POWERDI50
Diodes Incorporated
0
现货
5,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥2.79170
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
80V
28.5A（Tc）
26 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
10.4nC @ 10V
631pF @ 40V
3.1W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8（UXD 类）
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。