FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA450mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.5pF @ 16V50pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW310mW（Ta）
封装/外壳
6-SMD，无引线6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88（SC-70-6）X2-DFN0806-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
76,279
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88（SC-70-6）
X2-DFN0806-6
DMN2991UDA-7B
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A 6DFN
Diodes Incorporated
55,644
现货
6,300,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40331
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
20V
450mA（Ta）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
21.5pF @ 16V
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SMD，无引线
X2-DFN0806-6
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。