FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 5A，10V58 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6nC @ 10V19nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235pF @ 15V670pF @ 20V
功率 - 最大值
1.4W20.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 双SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOPPowerPAK® 1212-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5540
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
19,601
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77232
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
3.7A
58 毫欧 @ 3.4A，10V
2.2V @ 250µA
6nC @ 10V
235pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-TSOP
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7216DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Vishay Siliconix
9,633
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.43267
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
40V
6A
32 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
19nC @ 10V
670pF @ 20V
20.8W
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。