FET、MOSFET 阵列

结果 : 13
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A5A6A6A(Tc)6.9A6.9A(Ta)8A9.2A11A30A(Tc)60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 20A,10V9.6 毫欧 @ 11A,10V16.3 毫欧 @ 9.2A,10V17 毫欧 @ 7.5A,10V19 毫欧 @ 8A,10V21 毫欧 @ 8A,10V22 毫欧 @ 6.9A,10V25 毫欧 @ 7A,10V26.4 毫欧 @ 8A,10V29 毫欧 @ 7.3A,10V45 毫欧 @ 6A,10V46 毫欧 @ 5A,10V70 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.4V @ 25µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.9nC @ 10V11nC @ 10V12nC @ 10V13.7nC @ 4.5V22nC @ 10V38nC @ 10V39nC @ 10V40nC @ 10V50nC @ 10V160nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
415pF @ 20V520pF @ 15V563pF @ 25V722pF @ 25V1241pF @ 15V1300pF @ 15V1300pF @ 25V1350pF @ 15V1360pF @ 15V1425pF @ 15V1680pF @ 10V1740pF @ 25V6200pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW1.1W1.3W2W2.5W2.6W(Ta),23W(Tc)5W46W56W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
8-SO8-SOICPowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241,855
现货
392,500
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
1,057,328
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.99088
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
8A
19 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 250µA
12nC @ 10V
415pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
AO4838
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
25,329
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.29229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
11A
9.6 毫欧 @ 11A,10V
2.6V @ 250µA
22nC @ 10V
1300pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7223DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Vishay Siliconix
7,839
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.05599
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
6A(Tc)
26.4 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
40nC @ 10V
1425pF @ 15V
2.6W(Ta),23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
8-SOIC
FDS4935BZ
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
onsemi
37,238
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.08994
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
6.9A
22 毫欧 @ 6.9A,10V
3V @ 250µA
40nC @ 10V
1360pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IRF9362TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Infineon Technologies
44,599
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.90672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
8A
21 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 25µA
39nC @ 10V
1300pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF9358TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
16,023
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.06106
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
9.2A
16.3 毫欧 @ 9.2A,10V
2.4V @ 25µA
38nC @ 10V
1740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7997DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
13,011
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.83005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
60A
5.5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
160nC @ 10V
6200pF @ 15V
46W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
8 SO
DMP3028LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SO
Diodes Incorporated
91,300
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.80573
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
6A
25 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
10.9nC @ 10V
1241pF @ 15V
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
DMP3056LSDQ-13
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Diodes Incorporated
52,794
现货
30,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.42498
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
6.9A(Ta)
45 毫欧 @ 6A,10V
2.1V @ 250µA
13.7nC @ 4.5V
722pF @ 25V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
12,984
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.11506
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
5A
46 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
11nC @ 10V
520pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
SI4925DDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
12,765
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.22576
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
8A
29 毫欧 @ 7.3A,10V
3V @ 250µA
50nC @ 10V
1350pF @ 15V
5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
PowerPAK SO-8 Dual
SQJ951EP-T1_BE3
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,496
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.25854
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
30A(Tc)
17 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 250µA
50nC @ 10V
1680pF @ 10V
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
显示
/ 13

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。