FET、MOSFET 阵列
结果 : 5
制造商
系列
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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27,573 现货 | 1 : ¥2.63000 剪切带(CT) 4,000 : ¥0.52155 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 | 20V | 800mA(Ta) | 235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V | 1V @ 1mA | 1nC @ 10V | 55pF @ 10V,100pF @ 10V | 150mW(Ta) | 150°C | - | - | 表面贴装型 | SOT-563,SOT-666 | ES6 | ||
88,275 现货 | 1 : ¥3.37000 剪切带(CT) 3,000 : ¥0.60646 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 60V | 300mA | 3 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA | 0.6nC @ 10V | 20pF @ 25V | 500mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | PG-SOT363-PO | |||
8,845 现货 12,000 工厂 | 1 : ¥5.01000 剪切带(CT) 3,000 : ¥1.89049 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 20V | 3A,2.2A | 70 毫欧 @ 3A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.6nC @ 4.5V | 324pF @ 10V | 700mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | SuperSOT™-6 | |||
128,443 现货 3,519,000 工厂 | 1 : ¥2.22000 剪切带(CT) 3,000 : ¥0.48619 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 不适用于新设计 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 | 30V | 3.4A,2.8A | 60 毫欧 @ 3.1A,10V | 2.3V @ 250µA | 13nC @ 10V | 400pF @ 15V | 840mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | TSOT-26 | ||
9,955 现货 30,000 工厂 | 1 : ¥6.65000 剪切带(CT) 2,500 : ¥2.58416 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道互补型 | - | 40V | 5.3A | 45 毫欧 @ 3A,10V | 1.8V @ 250µA | 37.56nC @ 10V | 1790.8pF @ 20V | 1.8W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SO |
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