FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA800mA(Ta)3A,2.2A3.4A,2.8A5.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
45 毫欧 @ 3A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V70 毫欧 @ 3A,4.5V235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 10V1nC @ 10V4.6nC @ 4.5V13nC @ 10V37.56nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V55pF @ 10V,100pF @ 10V324pF @ 10V400pF @ 15V1790.8pF @ 20V
功率 - 最大值
150mW(Ta)500mW700mW840mW1.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
封装/外壳
6-VSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
8-SOES6PG-SOT363-POSuperSOT™-6TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
27,573
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.52155
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
800mA(Ta)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V,100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
88,275
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60646
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SG6858TZ
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
onsemi
8,845
现货
12,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89049
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
3A,2.2A
70 毫欧 @ 3A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.6nC @ 4.5V
324pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
128,443
现货
3,519,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48619
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
8 SO
DMC4050SSDQ-13
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Diodes Incorporated
9,955
现货
30,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.58416
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
40V
5.3A
45 毫欧 @ 3A,10V
1.8V @ 250µA
37.56nC @ 10V
1790.8pF @ 20V
1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。