FET、MOSFET 阵列

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,0.9V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V50V60V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA305mA510mA,340mA3.4A,2.8A3.5A(Ta)3.57A(Tc),2.5A(Tc)6A,4.2A6.5A,4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 7.4A,10V25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V60 毫欧 @ 3.1A,10V77 毫欧 @ 1A,4.5V,166 毫欧 @ 1A,4.5V112 毫欧 @ 3.5A,10V122 毫欧 @ 3.5A, 10V2 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 510mA,10V2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5nC @ 10V2.5nC @ 4.5V,3.5nC @ 4.5V3.6nC @ 4.5V6.2nC @ 10V9.8nC @ 10V11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V13nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V,66pF @ 25V26pF @ 10V50pF @ 25V242pF @ 15V265pF @ 20V400pF @ 15V501pF @ 15V590pF @ 15V, 631pF @ 15V-
功率 - 最大值
120mW250mW700mW840mW1.2W1.5W(Ta)1.67W2W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
封装/外壳
6-PowerUDFN6-SMD,扁平引线6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSOP6-TSOP-F8-SOHUML2020L8SOT-563SuperSOT™-6TSOT-26UMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
350,022
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47995
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,0.9V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
8 SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
24,123
现货
775,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.24605
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A,4.2A
20 毫欧 @ 7.4A,10V
2V @ 250µA
9.8nC @ 10V
501pF @ 15V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
SG6858TZ
NDC7001C
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
11,530
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26831
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
510mA,340mA
2 欧姆 @ 510mA,10V
2.5V @ 250µA
1.5nC @ 10V
20pF @ 25V,66pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
8 SO
DMHC3025LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
73,260
现货
1,020,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.64842
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
逻辑电平门
30V
6A,4.2A
25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
590pF @ 15V, 631pF @ 15V
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
Pkg 5540
SQ3585EV-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Vishay Siliconix
8,935
现货
1 : ¥28.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.41168
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
20V
3.57A(Tc),2.5A(Tc)
77 毫欧 @ 1A,4.5V,166 毫欧 @ 1A,4.5V
1.5V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V,3.5nC @ 4.5V
-
1.67W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
93,983
现货
966,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMN601VK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Diodes Incorporated
22,709
现货
1,107,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61338
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
305mA
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
250mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
4,839
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.29300
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
100V
3.5A(Ta)
112 毫欧 @ 3.5A,10V
2.5V @ 100µA
3.6nC @ 4.5V
242pF @ 15V
1.5W(Ta)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-SMD,扁平引线
6-TSOP-F
UT6JE5TCR
UT6JB5TCR
MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Rohm Semiconductor
2,148
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.16534
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
40V
3.5A(Ta)
122 毫欧 @ 3.5A, 10V
2.5V @ 1mA
6.2nC @ 10V
265pF @ 20V
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PowerUDFN
HUML2020L8
显示
/ 9

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。