FET、MOSFET 阵列

结果 : 10
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A4A4.5A(Ta),3.7A(Ta)5A(Ta)6.5A6.8A8A9.5A(Ta)11A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.6 毫欧 @ 11A,10V14.5 毫欧 @ 9.5A,10V22 毫欧 @ 7.5A,10V24 毫欧 @ 7A,10V24 毫欧 @ 8.2A,4.5V30 毫欧 @ 6.5A,4.5V42 毫欧 @ 5A,10V45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V70 毫欧 @ 5.3A,10V84毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 1mA1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8nC @ 4.5V8.8nC @ 4.5V9nC @ 4.5V10nC @ 4.5V11nC @ 10V12.5nC @ 10V,11.1nC @ 10V12.9nC @ 10V22nC @ 10V23nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
129pF @ 15V448pF @ 15V563pF @ 25V574pF @ 20V,587pF @ 20V608pF @ 15V650pF @ 10V720pF @ 15V755pF @ 30V867pF @ 15V1300pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW1W1.1W1.3W1.5W(Ta)1.7W1.8W2W2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
6-UDFN(2x2)8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241,865
现货
407,500
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
146,095
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95693
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
30V
4A
84毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 1mA
1.8nC @ 4.5V
129pF @ 15V
1W
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WDFN 裸露焊盘
6-UDFN(2x2)
8 SO
DMN3024LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Diodes Incorporated
69,865
现货
185,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.74448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
6.8A
24 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
FDS9926A
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
onsemi
33,218
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.15997
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
6.5A
30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
9nC @ 4.5V
650pF @ 10V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
AO4838
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
25,839
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.29229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
11A
9.6 毫欧 @ 11A,10V
2.6V @ 250µA
22nC @ 10V
1300pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8 SO
DMHC4035LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
Diodes Incorporated
39,023
现货
380,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88286
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
-
40V
4.5A(Ta),3.7A(Ta)
45 毫欧 @ 3.9A,10V,65 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
12.5nC @ 10V,11.1nC @ 10V
574pF @ 20V,587pF @ 20V
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8 SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Diodes Incorporated
112,974
现货
167,500
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.07752
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
8A
24 毫欧 @ 8.2A,4.5V
900mV @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
867pF @ 15V
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
19,750
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.84329
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
-
22 毫欧 @ 7.5A,10V
2.6V @ 250µA
11nC @ 10V
448pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
52,995
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76511
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
5A(Ta)
42 毫欧 @ 5A,10V
2.2V @ 250µA
23nC @ 10V
720pF @ 15V
1.7W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
28,173
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.78037
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
9.5A(Ta)
14.5 毫欧 @ 9.5A,10V
2.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
755pF @ 30V
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。