FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Goford SemiconductorRohm Semiconductor
系列
-G
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Ta）9A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.3 毫欧 @ 8.5A， 10V20 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42nC @ 10V51nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2365pF @ 20V2870pF @ 20V
功率 - 最大值
1.4W（Ta）2.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
SH8JB5TB1
MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
12,235
现货
1 : ¥18.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.32632
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
40V
8.5A（Ta）
15.3 毫欧 @ 8.5A， 10V
2.5V @ 1mA
51nC @ 10V
2870pF @ 20V
1.4W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
G06N06S
G200P04S2
MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOP
Goford Semiconductor
1,724
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.71767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
40V
9A（Tc）
20 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 250µA
42nC @ 10V
2365pF @ 20V
2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。