FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedEPC
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A，4.2A23A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 20A，5V20 毫欧 @ 7.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8nC @ 5V9.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
501pF @ 15V830pF @ 30V
功率 - 最大值
1.2W-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）模具
供应商器件封装
8-SO模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
24,123
现货
792,500
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.24605
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A，4.2A
20 毫欧 @ 7.4A，10V
2V @ 250µA
9.8nC @ 10V
501pF @ 15V
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
eGaN Series
EPC2102
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
EPC
3,615
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88582
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
60V
23A
4.4 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
6.8nC @ 5V
830pF @ 30V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。