FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedEPCToshiba Semiconductor and Storage
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）2 个 N 通道（半桥）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA750mA，600mA1.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 2A，5V550 毫欧 @ 540mA，4.5V2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.73nC @ 5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12pF @ 10V75pF @ 50V150pF @ 16V
功率 - 最大值
150mW500mW-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
6-SMD，无引线SOT-563，SOT-666模具
供应商器件封装
DFN1612-6ES6模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
eGaN Series
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
61,042
现货
1 : ¥15.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.83752
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
100V
1.7A
70 毫欧 @ 2A，5V
2.5V @ 600µA
0.73nC @ 5V
75pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
DFN1612-6
DMC2004LPK-7
MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Diodes Incorporated
8,898
现货
117,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
750mA，600mA
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
500mW
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SMD，无引线
DFN1612-6
1,050
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.52947
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
250mA
2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
150mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。