设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
FET、MOSFET 阵列
结果 : 3
包装
配置
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示 / 3
1 - 3
Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2 现货 | 1 : ¥1,178.06000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 4 N 沟道（全桥） | - | 1200V（1.2kV） | 40A（Tj） | 42.6 毫欧 @ 30A，15V | 3.6V @ 11.5mA | 118nC @ 15V | 3400pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | |
| 2 现货 | 1 : ¥1,226.91000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 78A（Tj） | 21.3 毫欧 @ 80A，15V | 3.6V @ 23mA | 236nC @ 15V | 6600pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | 模块 | |
 | 0 现货 查看交期 | 1 : ¥2,445.53000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 182A（Tj） | 10.4 毫欧 @ 150A，15V | 3.6V @ 46mA | 472nC @ 15V | 13600pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | 模块 |
显示 / 3
1 - 3
