FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极，1.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 3.5A，10V235 毫欧 @ 800mA，4.5V，390 毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1nC @ 10V7.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55pF @ 10V，100pF @ 10V398pF @ 50V
功率 - 最大值
150mW（Ta）1.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
8-SOICES6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
29,723
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.52157
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极，1.5V 驱动
20V
800mA（Ta）
235 毫欧 @ 800mA，4.5V，390 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V，100pF @ 10V
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
8-SOIC
FDS89141
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
onsemi
22,484
现货
10,000
工厂
1 : ¥23.32000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.49886
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
100V
3.5A
62 毫欧 @ 3.5A，10V
4V @ 250µA
7.1nC @ 10V
398pF @ 50V
1.6W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。