FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial Co
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.2 毫欧 @ 17A，10V21 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 30µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50nC @ 10V78nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2675pF @ 25V3980pF @ 25V
功率 - 最大值
1.4W65W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOPPG-TDSON-8-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
ESD2V8P8U-TP
MCQ7328-TP
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOP
Micro Commercial Co
65,642
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.09379
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
8A
21 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
78nC @ 10V
2675pF @ 25V
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
PG-TDSON-8-4
IPG20N04S4L07ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
4,177
现货
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.79504
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
20A
7.2 毫欧 @ 17A，10V
2.2V @ 30µA
50nC @ 10V
3980pF @ 25V
65W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-4
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。