FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Taiwan Semiconductor CorporationTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
配置
2 N 沟道（双）共漏2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）
12V20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Tc）-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 6A，4.5V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.9nC @ 4.5V15nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950pF @ 10V-
功率 - 最大值
1.04W2.3W
封装/外壳
6-XFBGA8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
6 PicoStar8-TSSOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
NexFET Series
CSD83325LT
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Texas Instruments
678
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
250 : ¥6.59608
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）共漏
-
12V
-
-
1.25V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
-
2.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-XFBGA
6 PicoStar
126
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
501,000 : ¥2.25770
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
20V
6.5A（Tc）
22 毫欧 @ 6A，4.5V
1V @ 250µA
15nC @ 4.5V
950pF @ 10V
1.04W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。