FET、MOSFET 阵列

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
8V20V30V60V,50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA,130mA220mA650mA,450mA800mA(Ta)1.03A,700mA1.07A,845mA1.3A2A3.4A,2.8A3.8A,2.5A4.6A(Ta),3.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 3.5A,10V,95 毫欧 @ 3.8A,10V55 毫欧 @ 3.4A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V150 毫欧 @ 2A,4.5V175 毫欧 @ 1.2A,4.5V235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V400 毫欧 @ 590mA,10V450 毫欧 @ 600mA,4.5V480 毫欧 @ 200mA,5V2.8 欧姆 @ 250mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5nC @ 4.5V0.74nC @ 4.5V0.87nC @ 10V1nC @ 10V1.4nC @ 10V4.5nC @ 10V,6.5nC @ 10V12.3nC @ 10V13nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
22pF @ 25V37.1pF @ 10V50pF @ 25V,45pF @ 25V55pF @ 10V,100pF @ 10V55pF @ 15V60.67pF @ 10V190pF @ 15V,254pF @ 15V320pF @ 16V400pF @ 15V422pF @ 15V-
功率 - 最大值
150mW(Ta)200mW300mW310mW330mW400mW450mW600mW700mW(Ta)840mW850mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
ES6SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-26SOT-363SOT-563TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
27,593
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.52157
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
800mA(Ta)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V,100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
61,507
现货
342,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT-363
NTJD1155LT1G
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
onsemi
92,856
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.31234
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
8V
1.3A
175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1V @ 250µA
-
-
400mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 363
BSS8402DW-7-F
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Diodes Incorporated
58,915
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08410
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V,50V
115mA,130mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V,45pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
128,443
现货
3,519,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48621
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 26
DMP2240UDM-7
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT26
Diodes Incorporated
189,493
现货
75,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96980
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
2A
150 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
-
320pF @ 16V
600mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
SOT 363
DMN63D8LDW-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Diodes Incorporated
130,950
现货
4,068,000
工厂
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42497
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
220mA
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
TSOT-26
DMC3071LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Diodes Incorporated
22,087
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82347
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
30V
4.6A(Ta),3.3A(Ta)
50 毫欧 @ 3.5A,10V,95 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
4.5nC @ 10V,6.5nC @ 10V
190pF @ 15V,254pF @ 15V
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
50,607
现货
2,937,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
3.8A,2.5A
55 毫欧 @ 3.4A,10V
1.5V @ 250µA
12.3nC @ 10V
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
153,454
现货
2,382,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57291
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.03A,700mA
480 毫欧 @ 200mA,5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 363
DMC3400SDW-13
MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Diodes Incorporated
110,603
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.48660
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
650mA,450mA
400 毫欧 @ 590mA,10V
1.6V @ 250µA
1.4nC @ 10V
55pF @ 15V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。