FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
410mA500mA，410mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 500mA，4.5V1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5nC @ 4.5V2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 10V62pF @ 10V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
FDG6321C
MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
onsemi
1,250
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47133
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
25V
500mA，410mA
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3nC @ 4.5V
50pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88（SC-70-6）
SOT 363
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
onsemi
429
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.51780
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
25V
410mA
1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
62pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88（SC-70-6）
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。