FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A5.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
48 毫欧 @ 5A，10V105 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5nC @ 4.5V17.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
969pF @ 30V1525pF @ 30V
功率 - 最大值
1.2W2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMP6110SSD-13
MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Diodes Incorporated
7,153
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.80573
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
60V
3.3A
105 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
8 SOIC
DMPH6050SSDQ-13
MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SO
Diodes Incorporated
2,458
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.83530
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
60V
5.2A（Ta）
48 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
14.5nC @ 4.5V
1525pF @ 30V
2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。