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FET、MOSFET 阵列
结果 : 4
系列
包装
产品状态
配置
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
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市场产品
4结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 124,126 现货 | 1 : ¥2.96000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.49294 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | 逻辑电平门 | 60V | 295mA | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V | 2.5V @ 250µA | 0.9nC @ 4.5V | 26pF @ 20V | 250mW | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
8,377 现货 | 1 : ¥16.58000 剪切带（CT） 3,000 : ¥7.46392 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N 沟道（双）非对称型 | 逻辑电平门 | 30V | 30A，60A | 8 毫欧 @ 13A，10V | 2.7V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1765pF @ 15V | 1W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-PowerTDFN | Power56 | |||
23,689 现货 | 1 : ¥10.84000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.76375 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 停产 | MOSFET（金属氧化物） | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 30V | 6.4A，4.5A | 26 毫欧 @ 6.4A，10V | 3V @ 250µA | 12nC @ 10V | 540pF @ 15V | 900mW | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8-SOIC | |||
 | 5 现货 | 1 : ¥8.37000 剪切带（CT） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） | 停产 | MOSFET（金属氧化物） | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 20V | 4A，3.1A | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V | 1.2V @ 250µA | 7.9nC @ 4.5V | 510pF @ 10V | 1.1W | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | 8-SMD，扁平引线 | ChipFET™ |
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