FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA250mA510mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V2 欧姆 @ 510mA，10V4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1nC @ 10V1.3nC @ 5V1.7nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20pF @ 25V23pF @ 25V33pF @ 5V
功率 - 最大值
250mW272mW700mW
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SOT-23-6 细型，TSOT-23-6SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363SC-89（SOT-563F）SuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
113,670
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79156
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
250mA
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
102,826
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15453
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
50V
510mA
2 欧姆 @ 510mA，10V
2.5V @ 250µA
1nC @ 10V
20pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SuperSOT™-6
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Vishay Siliconix
30,275
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34532
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
60V
190mA
4 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
1.7nC @ 15V
23pF @ 25V
250mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SC-89（SOT-563F）
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。