FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）
45V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta），3.5A（Ta）8A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.6nC @ 5V，18.2nC @ 5V40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550pF @ 10V，1700pF @ 10V1140pF @ 30V
功率 - 最大值
1.4W（Ta）27W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TA）150°C（TJ）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
8-SOPPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK SO-8 Dual
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Vishay Siliconix
6,136
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.55053
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
60V
8A（Tc）
85 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
40nC @ 10V
1140pF @ 30V
27W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
8-SOIC
SP8M24HZGTB
MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,655
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.94728
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
45V
4.5A（Ta），3.5A（Ta）
46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 1mA
9.6nC @ 5V，18.2nC @ 5V
550pF @ 10V，1700pF @ 10V
1.4W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。