FET、MOSFET 阵列
结果 : 5
制造商
系列
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
供应商器件封装
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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46,439 现货 | 1 : ¥5.58000 剪切带(CT) 3,000 : ¥2.12681 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 不适用于新设计 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 40V | 6A | 30 毫欧 @ 6A,10V | 3V @ 250µA | 10.8nC @ 10V | 650pF @ 20V | 2W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | ||
37,228 现货 | 1 : ¥7.47000 剪切带(CT) 2,500 : ¥3.08983 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | 逻辑电平门 | 30V | 6.9A | 22 毫欧 @ 6.9A,10V | 3V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1360pF @ 15V | 900mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | |||
15,718 现货 | 1 : ¥9.44000 剪切带(CT) 2,500 : ¥3.89341 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 40V | 6A | 29 毫欧 @ 6A,10V | 3V @ 250µA | 11nC @ 5V | 955pF @ 20V | 2W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | |||
3,126 现货 162,500 工厂 | 1 : ¥6.57000 剪切带(CT) 2,500 : ¥2.48952 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 30V | 6A | 28 毫欧 @ 6A,10V | 3V @ 250µA | 8.1nC @ 5V | 575pF @ 15V | 900mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | |||
26,695 现货 | 1 : ¥6.90000 剪切带(CT) 2,500 : ¥2.61831 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 不适用于新设计 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 30V | 5.9A(Ta) | 36 毫欧 @ 5.9A,10V | 3V @ 250µA | 13nC @ 10V | 610pF @ 15V | 3W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOP |
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