FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A(Ta)6A6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
22 毫欧 @ 6.9A,10V28 毫欧 @ 6A,10V29 毫欧 @ 6A,10V30 毫欧 @ 6A,10V36 毫欧 @ 5.9A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.1nC @ 5V10.8nC @ 10V11nC @ 5V13nC @ 10V40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
575pF @ 15V610pF @ 15V650pF @ 20V955pF @ 20V1360pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW2W3W
供应商器件封装
8-SOIC8-SOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
46,439
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12681
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
30 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10.8nC @ 10V
650pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS4935BZ
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
onsemi
37,228
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.08983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
6.9A
22 毫欧 @ 6.9A,10V
3V @ 250µA
40nC @ 10V
1360pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8949
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
onsemi
15,718
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.89341
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
29 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 5V
955pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS6912A
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
onsemi
3,126
现货
162,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.48952
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
6A
28 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
8.1nC @ 5V
575pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
26,695
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.61831
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
5.9A(Ta)
36 毫欧 @ 5.9A,10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
610pF @ 15V
3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。