FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
制造商
Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动逻辑电平栅极，1.8V 驱动逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）800mA（Ta）1.5A1.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 800mA，4.5V213 毫欧 @ 1A，4V240 毫欧 @ 1.5A，4.5V1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2nC @ 4.5V2.2nC @ 4.5V6.4nC @ 4V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
42pF @ 10V80pF @ 10V177pF @ 10V250pF @ 10V
功率 - 最大值
150mW（Ta）500mW（Ta）1W
工作温度
150°C150°C（TJ）
封装/外壳
6-SMD，扁平引线SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6TUMT6UF6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
7,176
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.57142
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
20V
250mA（Ta）
1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
42pF @ 10V
150mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Rohm Semiconductor
24,701
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35462
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
30V
1.5A
240 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
2.2nC @ 4.5V
80pF @ 10V
1W
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-SMD，扁平引线
TUMT6
8,933
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09803
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平栅极，1.8V 驱动
20V
1.5A（Ta）
213 毫欧 @ 1A，4V
1V @ 1mA
6.4nC @ 4V
250pF @ 10V
500mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
6-SMD，扁平引线
UF6
1,018
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02623
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
20V
800mA（Ta）
85 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
2nC @ 4.5V
177pF @ 10V
500mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-SMD，扁平引线
UF6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。